多核架构下的内存模型

参考 参考 一 走进多核编程 CPU 发展早期阶段,性能的提升主要来自于主频的提升和架构的优化,当这条优化途径出现瓶颈后,多核 CPU 开始流行起来。多核心同时执行任务极大地提高了系统整体性能,但也对硬件架构和软件编写提出了更大的挑战。各个核心都有自己的 Cache,以及不同层级的 Cache,彼此共享内存。一个典型的多核 CUP 架构如下图所示: 利用多核心的优势在各个核之间互相配合完成任务,如何进行各个核心间的数据同步(各个核心所属 L1 Cache/L2 Cache 数据的同步)是问题的关键所在。虽然发展出多种数据同步方式,以及流水线乱序执行的模式,但数据在各个核之间的一致性和可见性并不是那么理想;再加上编译器也会做优化,最终导致各个核的指令执行顺序和各个变量值的可见性变得不确定。 这种现象可以通称为重排,即原本应该有全序的内存读写操作被打乱。不过无论产生什么样的重排,都会保证对于单线程内部的执行结果不会有任何区别。下面是一个简单例子: 对于 Thread 1 内部,p 和 ready 没有关联,完全可以被重排而不影响正确性,而 Thread 2 依赖 ready 做标识位,一旦重排,Thread 2 在看到 ready 为 true 的时候 p 都可能没有 init,显然这是有问题的。 二 多核编程中临界区保护 利用多线程做并发的任务中通常都会有公共的临界区,比如最常用的一种数据结构:并发队列,生产者和消费者需要访问队列的公共内存进行写入和读取。目前对于临界区的保护方式通常可以分为三个级别:互斥、Lock-free 和 Wait-free。 1、 互 斥 互斥,顾名思义每个线程访问临界区之前都需要获得互斥锁,如果被别的线程占用了就阻塞等待。当进入临界区的线程发生阻塞,或被操作系统换出时,会出现全局阻塞,因为获得锁的线程被换出无法执行操作,而未获得锁的线程也只能一同等待,出现了阻塞传播。如果另一个线程先进入临界区,有可能反而可以更快的顺利完成。因为存在全局阻塞的可能性,采用互斥技术进行临界区保护的算法有着最低的阻塞容忍能力。 2、 Lock-free Lock-free 允许单个线程阻塞,但是会保证系统整体层面上的吞吐。如果当程序线程运行足够长时间的情况下,至少有一个线程取得了进展,那么就可以说这个算法是 Lock-free 的。如果一个线程被挂起,那么 Lock-free […]

常用逻辑门实用知识

数电也是需要了解的部分,24年开始抽点时间吧 (1)与门 与门(英语:AND gate)又称“与电路”、逻辑“积”、逻辑“与”电路。是执行“与”运算的基本逻辑门电路。有多个输入端,一个输出端。当所有的输入同时为高电平(逻辑1)时,输出才为高电平,否则输出为低电平(逻辑0)。 逻辑表达式: F=AB. (2)或门 或门(OR gate),又称或电路、逻辑和电路。如果几个条件中,只要有一个条件得到满足,某事件就会发生,这种关系叫做“或”逻辑关系。具有“或”逻辑关系的电路叫做或门。或门有多个输入端,一个输出端,只要输入中有一个为高电平时(逻辑“1”),输出就为高电平(逻辑“1”);只有当所有的输入全为低电平(逻辑“0”)时,输出才为低电平(逻辑“0”)。 逻辑表达式:F= A+B. (3)非门 非门(英文:NOT gate)又称非电路、反相器、倒相器、逻辑否定电路,简称非门,,是逻辑电路的基本单元。非门有一个输入和一个输出端。当其输入端为高电平(逻辑1)时输出端为低电平(逻辑0),当其输入端为低电平时输出端为高电平。也就是说,输入端和输出端的电平状态总是反相的。非门的逻辑功能相当于逻辑代数中的非,电路功能相当于反相,这种运算亦称非运算。 逻辑表达式: (4)与非门 与非门(英语:NAND gate)是数字电路的一种基本逻辑电路。若当输入均为高电平(1),则输出为低电平(0);若输入中至少有一个为低电平(0),则输出为高电平(1)。与非门可以看作是与门和非门的叠加。 逻辑表达式: (5)或非门 或非门(英语:NOR gate)是数字逻辑电路中的基本元件,实现逻辑或非功能。有多个输入端,1个输出端,多输入或非门可由2输入或非门和反相器构成。只有当两个输入A和B为低电平(逻辑0)时输出为高电平(逻辑1)。也可以理解为任意输入为高电平(逻辑1),输出为低电平(逻辑0)。 逻辑表达式: (6)异或门 异或门 (英语:Exclusive-OR gate,简称XOR gate,又称EOR gate、ExOR gate)是数字逻辑中实现逻辑异或的逻辑门。有多个输入端、1个输出端,多输入异或门可由2输入异或门构成。若两个输入的电平相异,则输出为高电平1;若两个输入的电平相同,则输出为低电平0。亦即,如果两个输入不同,则异或门输出高电平。 逻辑表达式: (7)同或门 同或门(英语:XNOR gate或equivalence gate)也称为异或非门,是数字逻辑电路的基本单元,有2个输入端、1个输出端。当2个输入端中有且只有一个是低电平(逻辑0)时,输出为低电平。亦即当输入电平相同时,输出为高电平(逻辑1)。 逻辑表达式: 下面这个图记一下,主要是1,2,3,4,5,7,8 与非门和或非门分别是由与门+非门;或门+非门组合而成,在数字电路中也很常见

寄存器的讲解

转自 下面我们就来介绍一下关于寄存器的相关内容。我们知道,寄存器是 CPU 内部的构造,它主要用于信息的存储。除此之外,CPU 内部还有运算器,负责处理数据;控制器控制其他组件;外部总线连接 CPU 和各种部件,进行数据传输;内部总线负责 CPU 内部各种组件的数据处理。 那么对于我们所了解的汇编语言来说,我们的主要关注点就是 寄存器。 为什么会出现寄存器?因为我们知道,程序在内存中装载,由 CPU 来运行,CPU 的主要职责就是用来处理数据。那么这个过程势必涉及到从存储器中读取和写入数据,因为它涉及通过控制总线发送数据请求并进入存储器存储单元,通过同一通道获取数据,这个过程非常的繁琐并且会涉及到大量的内存占用,而且有一些常用的内存页存在,其实是没有必要的,因此出现了寄存器,存储在 CPU 内部。 认识寄存器 寄存器的官方叫法有很多,Wiki 上面的叫法是 Processing Register, 也可以称为CPU Register,计算机中经常有一个东西多种叫法的情况,反正你知道都说的是寄存器就可以了。 认识寄存器之前,我们首先先来看一下 CPU 内部的构造。 CPU 从逻辑上可以分为 3 个模块,分别是控制单元、运算单元和存储单元,这三部分由 CPU 内部总线连接起来。 几乎所有的冯·诺伊曼型计算机的 CPU,其工作都可以分为5个阶段:「取指令、指令译码、执行指令、访存取数、结果写回」。 计算机架构中的寄存器 寄存器是一块速度非常快的计算机内存,下面是现代计算机中具有存储功能的部件比对,可以看到,寄存器的速度是最快的,同时也是造价最高昂的。 我们以 intel 8086 处理器为例来进行探讨,8086 处理器是 x86 架构的前身。在 8086 后面又衍生出来了 8088 。 在 8086 CPU 中,地址总线达到 20 根,因此最大寻址能力是 2^20 […]

ROM与RAM

转自 一文为你讲解清楚: RAM、SRAM、DRAM、SDRAM、DDR SDRAM ROM、PROM、EPROM、EEPROM、NAND flash、NOR flash ROM和RAM指的都是半导体存储器。ROM是Read OnlyMemory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快。 DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDRRAM。 DDR RAM(Double-Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM,和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势。在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM ROM:只读存储器的总称。 PROM:可编程只读存储器,只能写一次,写错了就得报废,现在用得很少了。 EPROM:可擦除可编程存储器,这东西也比较古老了,是EEPROM的前身,在芯片的上面有个窗口,通过紫外线的照射来擦除数据。非常麻烦。 EEPROM:电可擦除可编程只读存储器,比之EPROM就先进点了,可以用电来擦除里面的数据,也是现在用得比较多的存储器,比如24CXX系列的EEPROM。(现在用的最多,小型存储器) Flsah FLASH 存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM 的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。 目前Flash主要有两种 ,NOR Flash (小、贵)和 NADN Flash (大,便宜)。NAND FLASH和NOR FLASH 都是现在用得比较多的非易失性闪存(ROM)。 NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。 NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。 一般小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On […]

红黑树

前言:耗费了五个多小时,算是差不多了 红黑树是一种结点带有颜色属性的二叉查找树,但它在二叉查找树之外,还有以下要求: 下图就是一个典型的红黑树: 但实现上我省略了其中的 Nil 结点,一般如下图,大家理解时也可以忽略它们。 优势和用途 我们知道二叉查找树在不停地添加或删除结点后,可能会导致结点情况如下: 这种情况下,二叉查找树的查找效率最坏会降低为 O(n)。 而红黑树由于在插入和删除结点时都会进行变色旋转等操作,在符合红黑树条件的情况下,即使一边子树全是黑色结点,另一边子树全是红黑相间,两子树的高度差也不会超过一半。一棵有 n 个结点的红黑树高度至多为 2log(n+1),查找效率最坏为 O(log(n))。 所以红黑树常被用于需求查找效率稳定的场景,如 Linux 中内核使用它管理内存区域对象、Java8 中 HashMap 的实现等,所以了解红黑树也很有意义。 下面介绍一下红黑树的等同 2-3-4树。 2-3-4树 2-3-4树是四阶的 B树(Balance Tree),它的结构有以下限制: 下图是一个典型的 2-3-4树(来自维基百科): 2-3-4树的查询操作像普通的二叉搜索树一样,非常简单,但由于其结点元素数不确定,在一些编程语言中实现起来并不方便,实现一般使用它的等同——红黑树。 红黑树维持平衡的方式 对应红黑树 至于为什么说红黑树是 2-3-4树的一种等同呢,这是因为 2-3-4树的每一个结点都对应红黑树的一种结构,所以每一棵 2-3-4树也都对应一棵红黑树,下图是 2-3-4树不同结点与红黑树子树的对应。 而上文中的 2-3-4树也可以转换成一棵红黑树: 由红黑树的性质5,和 2-3-4树的性质1,为了便于理解红黑树和 2-3-4树的对应关系,我们可以把红黑树从根结点到叶子结点的黑色结点个数定义为高度。 红黑树和 2-3-4树的结点添加和删除都有一个基本规则:避免子树高度变化,因为无论是 2-3-4树还是红黑树,一旦子树高度有变动,势必会影响其他子树进行调整,所以我们在插入和删除结点时尽量通过子树内部调整来达到平衡,2-3-4树实现平衡是通过结点的旋转和结点元素数变化,红黑树是通过结点旋转和变色。 下面来对照着 2-3-4树说一下红黑树结点的添加和删除: 结点插入 2-3-4树中结点添加需要遵守以下规则: 而将这些规则对应到红黑树里,就是: 如上图所示,虽然向红黑树中插入了一个新结点,但由于旋转和变色,子树的高度保持不变。 删除结点 红黑树的删除要比插入要复杂一些,我们还是类比 2-3-4树来讲: 将这些规则对应到红黑树中即: […]

字典树(前缀树)- TrieTree

基本概念 字典树是一种有序的树状结构,每个节点表示字符与字符串。字典树可以合并储存有相同前缀的字符串。常用于解决前缀匹配和字串查找的问题。是一种牺牲空间换取时间的做法。 插入 字串长度的时间 插入一个新单词 查找 单词长度的时间 查找是否存在某单词 查找是否存在某前缀 实现 通过HashMap实现子节点 class TrieNode {    String word;    HashMap<Character, TrieNode> next;​    public TrieNode() {        next = new HashMap<>();   }}​class TrieTree {    public TrieNode root;​    public TrieTree(TrieNode root) {        this.root = root;   }​    public […]

lWoHvYe 无悔,专一